S sintezo iz raztopin smo pripravili tanke plasti dielektrikov na osnovi Ta2O5-Al2O3-SiO2 na steklenih in platiniziranih silicijevih podlagah s segrevanjem pri 450 oC. Približno 100 nm debele rentgensko amorfne plasti so imele enakomerno mikrostrukturo z zelo nizko hrapavostjo (RMS ( 0.3 nm). Vrednost dielektričnosti je bila najvišja za plasti Ta2O5, okrog 28, kar je primerljivo s podatki iz literature, vrednosti tako binarnih kot ternarnih sestav so bile nižje. Nasprotno je bila optična prepustnost v vidnem območju večja za binarne in ternarne sestave.
B.03 Referat na mednarodni znanstveni konferenci
COBISS.SI-ID: 25113639