1.

Meritve čaa ujemanja v polprevodniških detektorjih.

Znanstveni članek

COBISS.SI-ID: 25892391

2.

Meritve TCT na miropasovnih detektorjih z ozkim robom

Znanstveni članek

COBISS.SI-ID: 27652647

3.

Meritve zbiranja naboja v silicijevih detektorjih obsevanih do 1.6[times]10[sup]817)n[sub](eq)/c[sup](-2)

Znanstveni članek

COBISS.SI-ID: 27549479

4.

Pospešeno popuščanje poškodb v visoko obsevanih silicijevih detektorjih

Znanstveni članek

COBISS.SI-ID: 25948455

5.

Modeliranje električnaga polja v silicijevih mikropasovnih detektorjih, obsevanih z neutroni in pioni

Znanstveni članek

COBISS.SI-ID: 28348199