Vpetje Fermijevega nivoja v odvisnosti od amorfizacije vmesne plasti

Predlagano je sistematično raziskovanje modifikacije dipola na mejni plasti stika med kovino in polprevodnikom, za katerega se domneva, da je primarno odgovoren za vpetje Fermijevega nivoja v polprevodnikih, z uporabo metode nanašanja s curkom ioniziranih skupkov atomov (CIS). Metoda omogoča, z ustreno izbiro translacijske energije nanešenih kovinskih ionov, kontrolirano povzročanje lokalnega nereda v kristalni mreži v bližini mejne plasti s polprevodnikom. Pokazali smo, da je po metodi CIS izdelanih kovina/Si stikih na n- in p- tipu podlage, stopnja nereda lokalne strukture neposredno povezana s pojavom t.i. presežne kapacitete, ki je za izbran Schottkyjev stik, ugotovljena s pomočjo merjenj C-U in I-U karakteristik. Presežna kapaciteta neposredno odraža obstoj induciranega presežnega naboja na meji med kovino in polprevodnikom, ki nastane kot posledica nereda lokalne strukture. Predlagana je izdelava vrste stikov kovina/GaAs in kovina/SiGe z metodo CIS ter merjenje njihovih električnih lastnosti. Predložene so nadaljne raziskave induciranega presežnega naboja na meji, ki so nujne za uspešno interpretacijo rezultatov meritev C-U in I-U opisanih vzorcev izdelanih z metodo CIS, v okviru reševanja problema vpetja Fermijevega nivoja.